全新系列碳化硅 (SiC) MOSFET

SCT4026DWAHRTL
SCT4062KWAHRTL
SCT3105KRC15
SCT3080ALHRC11
SCT3080ARC15
SCT3060ARC15
——明佳达

AEC-Q101 SiC功率MOSFETs是汽车和开关电源的理想选择。SiC功率MOSFETs可以提高开关频率,减少所需的电容、电抗器和其他元件的体积。

AEC-Q101 SiC功率MOSFETs在各种驱动系统中提供出色的尺寸和重量缩减,例如车辆中的逆变器和DC-DC转换器。车辆电池正趋向于更大的容量和更短的充电时间。这要求11kW和22kW等车载充电器具有高功率和高效率。这导致SiC MOSFETs的应用越来越多。

AEC-Q101 SiC功率MOSFETs满足电子车辆的需求,采用沟槽栅极结构。ROHM的SiC MOSFETs的未来设计致力于提高质量,加强其产品线以提高器件性能,降低功耗,并实现更大的小型化。

1、SCT4026DWAHRTL 碳化硅 (SiC) MOSFET N 通道 750 V 51A(Tc) TO-263-7LA

规格:

FET 类型:N 通道

技术:SiC(碳化硅结晶体管)

漏源电压(Vdss):750 V

25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):51A(Tc)

驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):18V

不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值):34 毫欧 @ 29A,18V

不同 Id 时 Vgs(th)(最大值):4.8V @ 15.4mA

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值):94 nC @ 18 V

Vgs(最大值):+21V,-4V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值):2320 pF @ 500 V

FET 功能:-

功率耗散(最大值):-

工作温度:175°C(TJ)

等级:汽车级

资质:AEC-Q101

安装类型:表面贴装型

供应商器件封装:TO-263-7LA

2、SCT4062KWAHRTL 碳化硅 (SiC) MOSFET N 通道 1200 V 24A(Tc) 93W TO-263-7LA

规格:

FET 类型:N 通道

技术:SiC(碳化硅结晶体管)

漏源电压(Vdss):1200 V

25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):24A(Tc)

驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):18V

不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值):81 毫欧 @ 12A,18V

不同 Id 时 Vgs(th)(最大值):4.8V @ 6.45mA

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值):64 nC @ 18 V

Vgs(最大值):+21V,-4V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值):1498 pF @ 800 V

FET 功能:-

功率耗散(最大值):93W

工作温度:175°C(TJ)

等级:汽车级

资质:AEC-Q101

安装类型:表面贴装型

供应商器件封装:TO-263-7LA

3、SCT3105KRC15是一款非常适用于要求高效率的服务器用电源、太阳能逆变器及电动汽车充电站等的沟槽栅结构SiC MOSFET。该器件采用电源源极引脚和驱动器源极引脚分离的4引脚封装,能够充分地发挥出高速开关性能。

规格:

FET 类型:N 通道

技术:SiC(碳化硅结晶体管)

漏源电压(Vdss):1200 V

25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):24A(Tj)

驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):18V

不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值):137 毫欧 @ 7.6A,18V

不同 Id 时 Vgs(th)(最大值):5.6V @ 3.81mA

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值):51 nC @ 18 V

Vgs(最大值):+22V,-4V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值):574 pF @ 800 V

FET 功能:-

功率耗散(最大值):134W

工作温度:175°C(TJ)

安装类型:通孔

供应商器件封装:TO-247-4L

封装/外壳:TO-247-4

基本产品编号:SCT3105

4、SCT3080ALHRC11是一款采用沟槽栅极结构的650V SiC MOSFET。与平面型SiC-MOSFET相比,同一芯片尺寸的导通电阻可降低50%,这将大幅降低太阳能发电用功率调节器和工业设备用电源、工业用逆变器等所有相关设备的功率损耗。

规格:

FET 类型:N 通道

技术:SiCFET(碳化硅)

漏源电压(Vdss):650 V

25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):30A(Tc)

驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):18V

不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值):104 毫欧 @ 10A,18V

不同 Id 时 Vgs(th)(最大值):5.6V @ 5mA

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值):48 nC @ 18 V

Vgs(最大值):+22V,-4V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值):571 pF @ 500 V

FET 功能:-

功率耗散(最大值):134W

工作温度:175°C(TJ)

等级:汽车级

资质:AEC-Q101

安装类型:通孔

供应商器件封装:TO-247N

封装/外壳:TO-247-3

基本产品编号:SCT3080

5、SCT3080ARC15是一款非常适用于要求高效率的服务器用电源、太阳能逆变器及电动汽车充电站等的沟槽栅结构650V SiC MOSFET。该器件采用电源源极引脚和驱动器源极引脚分离的4引脚封装,能够充分地发挥出高速开关性能。

规格:

FET 类型:N 通道

技术:SiC(碳化硅结晶体管)

漏源电压(Vdss):650 V

25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):30A(Tj)

驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):18V

不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值):104 毫欧 @ 10A,18V

不同 Id 时 Vgs(th)(最大值):5.6V @ 5mA

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值):48 nC @ 18 V

Vgs(最大值):+22V,-4V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值):571 pF @ 500 V

FET 功能:-

功率耗散(最大值):134W

工作温度:175°C(TJ)

安装类型:通孔

供应商器件封装:TO-247-4L

封装/外壳:TO-247-4

基本产品编号:SCT3080

6、SCT3060ARC15是一款650V N通道 4引脚封装 SiC(碳化硅)MOSFET,非常适用于要求高效率的服务器用电源、太阳能逆变器及电动汽车充电站等应用。与以往的3引脚封装(TO-247N)相比,导通损耗和关断损耗合起来预计可降低约35%的损耗。

规格:

FET 类型:N 通道

技术:SiC(碳化硅结晶体管)

漏源电压(Vdss):650 V

25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):39A(Tj)

驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):18V

不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值):78 毫欧 @ 13A,18V

不同 Id 时 Vgs(th)(最大值):5.6V @ 6.67mA

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值):58 nC @ 18 V

Vgs(最大值):+22V,-4V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值):852 pF @ 500 V

FET 功能:-

功率耗散(最大值):165W

工作温度:175°C(TJ)

安装类型:通孔

供应商器件封装:TO-247-4L

封装/外壳:TO-247-4

基本产品编号:SCT3060

注:本文部分内容与图片来源于网络,版权归原作者所有。如有侵权,请联系删除!

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