美光科技在2024年1γ工艺技术在10纳米级别启动EUV试产

美光科技（Micron）在2024年针对其1γ（1-gamma）工艺技术在10纳米级别启动EUV（极紫外光刻）试产，这标志着存储行业巨头在EUV采用上的重要一步，尽管相比英特尔和台积电等其他半导体制造商，美光的步伐显得更为谨慎。根据Technews的最新报道，美光计划在2024年开始采用EUV技术在其1γ工艺上进行试验性生产，并预期这一工艺技术将在2025年进入大规模量产。

目前，美光所有大规模生产的产品仍采用DUV（深紫外线光刻）技术。然而，随着2024年EUV试产的启动，美光预计这一更先进的制造技术将很快步入主流。这一举措是对市场需求，尤其是人工智能（AI）领域对高性能存储芯片日益增长需求的响应。

三星电子，作为另一家韩国存储巨头，早在2020年便宣布成功出货基于EUV技术的首个10纳米级（D1x）DDR4内存模块，并已达到百万片的里程碑。而SK海力士也在2021年开启了使用EUV技术的10纳米DRAM芯片的批量生产，并计划进一步投资15亿美元采购8台先进的EUV光刻机以扩大生产能力。

美光CEO Sanjay Mehrotra曾在财报电话会议上表示，使用EUV光刻的10纳米级1γ工艺DRAM的试产进展顺利，公司正按计划于2025年实现大规模生产。据报道，美光正在其位于日本广岛的工厂开发使用EUV光刻的10纳米级1γ工艺DRAM制造技术，这也是1γ内存试产的首站。

为了满足AI带动的高性能存储芯片强劲需求，美光除了推进EUV技术的DRAM生产外，还计划在美国建立HBM（高带宽内存）的试生产线，并考虑首次在马来西亚生产HBM，进一步布局其高端存储解决方案的生产能力。这些动向显示了美光在提升产能、技术升级以及全球生产布局上的积极策略，旨在巩固其在全球存储市场的领先地位并抓住新兴市场机遇。